宁波市鄞州区侨资企业PCM芯片建设项目昨奠基

宁波市鄞州区侨资企业PCM芯片建设项目昨奠基

　　近日，鄞州侨资企业宁波时代全芯科技有限公司的PCM芯片建设项目在鄞州工业园区奠基开工。宁波市副市长、鄞州区委书记陈奕君与“全芯科技”团队座谈，宁波市副市长陈仲朝出席奠基仪式，鄞州区副区长黄新山参加座谈并出席奠基仪式。

　　“全芯科技”由北京力利记投资集团有限公司和香港世峰科技有限公司共同投资，去年1月落户鄞州工业园区，建造具有完整知识产权的芯片制造基地。“全芯科技”科研团队由来自美国国家工程院等的40余名专家组成，PCM芯片的创新点相变存储技术历经3年研发成功，已经获得57项专利，正在申请的专利有141项。去年11月28日，“全芯科技”在鄞州首次发布自主研制的的中国首款相变存储芯片，成为中国第一家拥有相变存储技术自主知识产权的企业，一举打破美国美光和韩国三星在高端存储市场上的垄断地位。

　　3月6日奠基的是“全芯科技”一期项目，总建筑面积94643平方米，总投资1.5亿美元，预计今年12月完成厂房建设，明年9月完成工艺验证并下线生产，全产能将达到8000片芯片。按照计划，“全芯科技”力争5年内启动二期项目，完成投资达到20亿美元以上，研发、生产具有完整知识产权的芯片产品，将鄞州打造成“中国芯片之城”。

　　座谈会上，陈奕君对“全芯科技”项目的奠基开工表示祝贺。她表示，“全芯科技”打造的“中国芯”，代表着信息技术发展的潮流和方向，是鄞州抢占新一轮发展制高点的高位突破，对建设质量新鄞州具有重要战略引领意义。对于“全芯科技”这类科技含量高、创新能力强的好项目，鄞州政府将致力于营造良好的人文、法治、政策环境，为企业发展提供科学高效的服务。（鄞州区侨联 王佳妮）