顾越鹏——高校篇

顾越鹏

　　[个人简介]顾越鹏，男，1964年8月出生于浙江杭州，博士。现任美国IBM公司高级工程师。1982年入杭州大学化学系学习，于1986年、1989年分别获学士和硕士学位。1990年自费申请赴美留学，同时获得美国休斯顿大学及加拿大不列巅哥伦比亚大学全额奖学金攻读博士学位。1993年转学至匹兹堡大学化学系物理化学专业，1998年获理学博士学位。1996年，应以色列国家科学院（WEISMANN INSTITUTE SCIENCE）物理化学系主任邀请，赴以参加“在固体表面合成单分子膜”的联合研究项目，成果显著。由于工作出色，1997年被美国移民局以“国家利益豁免人才”授予永久居留权。2006年，被IBM哈得逊微电子研究中心聘为高级工程师。

　　[成就概述]顾越鹏博士一直从事新技术研究及开发工作，其研究领域包括低温能源储存及半导体材料工艺技术。2000年首次提出将硼酸基团合成在导电高分子链上，从而增强高分子锂电解质的电导能力，获美国宇航局（NASA）58万研究经费；2004年为INTEL设计全新45纳米CPU电路物理性调试工艺过程，首次提出利用电化学方法作为电路分线工艺，将导线电阻率从现有产品水平降低了120倍，其独创性成果已在世界4个国家及2个地区申报专利。顾博士坚持创新思想和理论与实际相结合的学术作风，除独创性科技成果外，还在美国多种著名杂志上发表了二十余篇高水平论文，被世界同行广泛认可和引用。（省直推荐）